Stężenie wzorca:  ppb (ng/ml)        Objętość:  5 10 15 20 25 30 35 40  µl   

 Modyfikator matrycy: Pd + kw. askorbinowy - 1000 ppm azotan palladu + 1% kwas askorbinowy, w sumie 5µl

 alternatywnie:

   Modyfikator matrycy (2): Ni(NO₃)₂ - azotan niklu, 50 - 1000 ppm
 
   Modyfikator matrycy (3): NH₄H₂PO₄ - 1% dwuwodorofosforan amonowy, 5µl
 

TYPOWY PROGRAM TEMPERATUROWY DLA KUWETY GRAFITOWEJ (D₂ i Zeeman)

Krok	Temp. [°C]	Czas [s]	Przepływ gazu [l/min]	Odczyt
1	85	5	3	-
2	95	40	3	-
3	120	10	3	-
4	700	5	3	-
5	700	1	3	-
6	700	2	0	-
7	2000	0.7	0	tak
8	2000	2	0	tak
9	2500	2	3	-

 

Noty aplikacyjne powiązane z oznaczaniem Sb techniką GF AAS / Agilent

Tytuł	Pierwiastki Składniki	Matryca/img	Technika Przyrząd	link	rozmiar
The Determination of Trace Elements in Stainless Steel by Forked Platform GFAAS Oznaczanie pierwiastków śladowych w stali kwasoodpornej na platformie techniką GFAAS (11-2010)	As, Se, Pb, Cd, Sb, Bi, Ag	stal	AAS kuweta (Zeeman)		108 k
Determination of Trace Metals in High-Purity Copper Using the GTA-95 Graphite Tube Atomizer Oznaczanie metali śladowych w miedzi wysokiej czystości techniką GFAAS (11-2010)	As, Sn, Pb, Sb, Bi, Se, Te	Cu	AAS kuweta		79 k

 

ICP-OES - oznaczanie antymonu

Linie ICP dla antymonu (poszczególne linie linkują do wykresów linii sąsiadujących).

λ 206.833

nm

SBR:

1.8

λ 194.975

nm

SBR:

0.45

λ 209.841

nm

SBR:

0.15

λ 217.023

nm

SBR:

0.08

λ 217.581

nm

SBR:

1.8

λ 217.919

nm

SBR:

0.45

λ 214.486

nm

SBR:

0.12

λ 220.132

nm

SBR:

0.08

λ 231.147

nm

SBR:

1.5

λ 187.052

nm

SBR:

0.35

λ 220.845

nm

SBR:

0.12

λ 192.644

nm

SBR:

0.07

λ 252.852

nm

SBR:

0.7

λ 204.957

nm

SBR:

0.25

λ 287.792

nm

SBR:

0.12

λ 259.805

nm

SBR:

0.7

λ 213.969

nm

SBR:

0.18

λ 203.997

nm

SBR:

0.08

Wykres dla linii ICP znajdujących się w pobliżu linii antymonu 252.852 nm (okno = ± 0.54 nm).
okno: ± 0,2    0,54   2    nm

Granica wykrywalności dla linii 206.833 nm: 2 ppb

Noty aplikacyjne powiązane z oznaczaniem Sb techniką ICP-OES / Agilent

Tytuł	Pierwiastki Składniki	Matryca/img	Technika Przyrząd	link	rozmiar
High throughput, low cost analysis of environmental samples according to US EPA 6010C using the Agilent 5100 SVDV ICP-OES Wysokowydajne, o niskich kosztach, analizy próbek środowiskowych zgodnie z US EPA 6010C przy zastosowaniu Agilent 5100 ICP-OES SVDV (7-2015)	Ag, Al, As, B, Ba, Be, Cd, Cd, Ce, Co, Cr, Cu, Fe, Hg, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Se, Sn, Sr, Ti, Tl, V, Zn	osady rzeczne	ICP 5100 SVDV SVS 2+		386 k
Ultra-fast determination of trace elements in water, conforming to US EPA 200.7 using the Agilent 5100 Synchronous Vertical Dual View ICP-OES Bardzo szybkie oznaczanie śladowych składników w wodzie zgodnie z US EPA 200.7 przy zastosowaniu Agilent 5100 SVDV ICP-OES (7-2014)	Al, Sb, As, Ba, Be, B, Cd, Ca, Ce, Cr, Co, Cu, Fe, Pb, Li, Mg, Mn, Mo, Ni, P, K, Se, Si, Ag, Na, Sr, Tl, Sn, V, Zn	woda	ICP 5100 SVDV SVS 2+		1252 k
Measuring elemental impurities in pharmaceutical materials Pomiar zanieczyszczeń pierwiastkowych w materiałach farmaceutycznych (5-2017)	Cd, Pb, As, Hg, Co, V, Ni, Tl, Au, Pd, Ir, Os, Rh, Ru, Se, Ag, Pt, Li, Sb, Ba, Mo, Cu, Sn, Cr	farmaceutyki	ICP 5110		1467 k
Simplify testing of elemental impurities in pharmaceuticals with Agilent’s certified reference materials kit ICH Q3D/USP <233> Elemental Impurities Kit Uproszczenie analiz zanieczyszczeń pierwiastkowych w farmaceutykach przy zastosowaniu zestawu certyfikowanych materiałów odniesienia ICH Q3D/USP <233> Elemental Impurities Kit (5-2017)	Hg, As, Cd, Pb, Ni, Ag, Se, V, Tl, Co, Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru, Cr, Sn, Cu, Mo, Ba, Sb, Li, Te, Sc, Ge, In, Lu, Bi	CRM (farmaceutyki)	ICP 5110		908 k
USP <232>/<233> and ICH Q3D Elemental Impurities Analysis: Agilent’s ICP-OES solution Analiza pierwiastkowa zanieczyszczeń wg USP <232>/<233> oraz ICH Q3D: Agilent ICP-OES (5-2017)	Cd, Pb, As, Hg, Co, V, Ni, Tl, Au, Pd, Ir, Os, Rh, Ru, Se, Ag, Pt, Li, Sb, Ba, Mo, Cu, Sn, Cr	farmaceutyki	ICP 5110		1285 k